[发明专利]一种空间高能电子探测器

摘要

本发明公开了一种空间高能电子探测器。使用本发明能够对空间3.0～30.0MeV的高能电子进行探测。本发明的空间高能电子探测器，包括探头外壳、挡光片、半导体探测器I、半导体探测器II和半导体探测器III、一块CsI(Tl)闪烁体和两块光电二极管，将金硅面垒探测器和CsI(Tl)探测器进行组合，并利用光电二极管来耦合CsI(Tl)探测器。一方面，由于CsI(Tl)探测器易加工，可以制作厚度很大的传感器，能满足对高能量电子的探测需求；另一方面，与光电倍增管相比，采用光电二极管耦合CsI(Tl)探测器，可大大减小探测器的体积和重量，这对星用载荷来说具有重要的工程意义。

主权项

一种空间高能电子探测器，其特征在于，包括探头外壳(2)、挡光片(3)、半导体探测器I(4)、半导体探测器II(7)和半导体探测器III(11)、一块CsI(Tl)闪烁体(9)和两块光电二极管(10)；其中，挡光片(3)为圆形镀铝薄膜；半导体探测器II(7)和半导体探测器I(4)为全耗尽型金硅面垒探测器；CsI(Tl)闪烁体(9)为圆柱体，CsI(Tl)闪烁体(9)的外圆周面上加工出两个平行的安装平面分别固定安装光电二极管(10)；半导体探测器III(11)为部分耗尽型金硅面垒探测器；挡光片(3)、半导体探测器I(4)、半导体探测器II(7)、CsI(Tl)闪烁体(9)和半导体探测器III(11)按照上下次序同轴固定安装在探头壳体(2)内部；信号线缆(15)一端与半导体探测器III(11)、半导体探测器II(7)、半导体探测器I(5)、2个光电二极管(10)连接，一端与信号输出接口(14)连接。