[发明专利]一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法及硅片无效
| 申请号： | 201410439730.1 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104409557A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 沈少杰 | 申请（专利权）人： | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 韩国胜;张海英 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光电生产技术领域，尤其涉及一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法，公开了一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法，包括：至少三个与推进相间隔的扩散工序，用于加深PN结的深度。一种硅片，采用上述用于加深硅片PN结深度的扩散方法制成。通过至少三次的扩散工序，大大加深了PN结的深度，并提升了电池片的短路电流与开路电压而提高了电池的转换效率；将每次扩散的时间均保持一致，将每次推进工序的保温时间均延长至1000s，进一步强化了PN结的深入；使用较小的冲击头即可满足冲击测试对于冲击质量的要求，提高了测试冲击头的使用寿命；提高了硅片扩散后的方块电阻的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加深 硅片 pn 深度 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法，其特征在于，包括：至少三个与推进相间隔的扩散工序，用于加深PN结的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矽美仕绿色新能源有限公司，未经苏州矽美仕绿色新能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410439730.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池负极材料及其配制方法
- 下一篇：柔性电缆的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
