[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 201410431155.0 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104157647A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈科远;林志峰 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯广 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护装置，包括：一P型半导体基板，该P型半导体基板为浮接；一第一N型井区以及一第二N型井区，分别形成于该P型半导体基板中；一第一P型掺杂区以及一第二P型掺杂区，分别形成于该第一N型井区以及该第二N型井区中，以分别构成一第一二极管以及一第二二极管，且该第一P型掺杂区电性连接至一输出输入端；一第一N型掺杂区以及一第二N型掺杂区，分别形成于该第一N型井区以及该第二N型井区中，该第二N型掺杂区电性连接至一参考电位节点；以及一栅极结构，设置于该第一N型井区及该第二N型井区之间的该P型半导体基板上，该栅极结构电性连接该第一N型掺杂区以及该第二P型掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，包括：一P型半导体基板，该P型半导体基板为浮接；一第一N型井区以及一第二N型井区，分别形成于该P型半导体基板中；一第一P型掺杂区以及一第二P型掺杂区，分别形成于该第一N型井区以及该第二N型井区中，以分别构成一第一二极管以及一第二二极管，且该第一P型掺杂区电性连接至一输出输入端；一第一N型掺杂区以及一第二N型掺杂区，分别形成于该第一N型井区以及该第二N型井区中，该第二N型掺杂区电性连接至一参考电位节点；以及一栅极结构，设置于该第一N型井区及该第二N型井区之间的该P型半导体基板上，该栅极结构电性连接该第一N型掺杂区以及该第二P型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
