[发明专利]ONO介质层的制备方法在审
| 申请号： | 201410374742.0 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104241111A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ONO介质层的制备方法，具体制备ONO介质层的中间氮化物的步骤包括：步骤S1、通过前驱气体管路通入含硅气体至反应炉内，并在通入含硅气体的同时，关闭其他管路；步骤S2、关闭前驱气体管路，打开净化气体管路通入净化气体至反应炉内；步骤S3、关闭净化气体管路，打开特气管路通入含氮气体至反应炉内，通入的含氮气体与含硅气体反应生成氮化硅附着在硅片表面；步骤S4、关闭特气管路并再次打开净化气体管路输送净化气体至反应炉。本发明可有效的改善硅片表面各位置处的薄膜厚度的均匀度，为提升器件性能提供保证。 | ||
| 搜索关键词： | ono 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ONO介质层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅片放置在一反应炉内的晶舟盒内，所述反应炉设有前驱气体管路、特气管路和净化气体管路；在所述硅片的上表面制备一层氧化物后，沉积一层氮化物覆盖在于所述氧化层的上表面，之后再制备一层氧化物覆盖在所述氮化物的上表面；其中，制备所述氮化物的步骤为：步骤S1、通过前驱气体管路通入含硅气体至反应炉内，并在通入含硅气体的同时，关闭其他管路；步骤S2、关闭前驱气体管路，打开净化气体管路通入净化气体至反应炉内；步骤S3、关闭净化气体管路，打开特气管路通入含氮气体至反应炉内，通入的含氮气体与含硅气体反应生成氮化硅附着在硅片表面；步骤S4、关闭特气管路并再次打开净化气体管路输送净化气体至反应炉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
