[发明专利]一种透射电镜样品的制备方法

摘要

一种透射电镜样品的制备方法，包括硅衬底和绝缘层，在绝缘层上有通孔或者沟槽形式的目标结构，首先在绝缘层表面沉积一层金属导电层，并将金属导电层和硅衬底进行连接，且样品是直接放置在聚焦离子束系统的样品台上的，使硅衬底通过样品台接地，然后再在金属导电层上的目标结构部位沉积一层金属保护层，在样品切割时，金属保护层产生的电荷能被导到硅衬底，然后通过样品台接地，所以避免了目标结构中电荷积累的发生，防止出现电击穿破坏目标结构的问题；本发明能够使样品在切割制作中，避免电荷在目标结构中积累并击穿绝缘层问题的发生，以获得目标结构的真实和完整信息。

主权项

1.一种透射电镜样品的制备方法，所述透射电镜样品至少包括硅衬底和绝缘层，所述绝缘层具有目标结构，所述目标结构为通孔或者沟槽，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：在所述样品表面以及所述目标结构内壁上沉积一层金属导电层；步骤S02：在聚焦离子束系统中，使用离子束将所述金属导电层和所述硅衬底先打孔(7)连通，并通过离子束含有的镓导通，然后再将硅衬底接地；步骤S03：在所述样品的所述目标结构部位沉积一层金属保护层，所述金属保护层至少能覆盖所述目标结构在所述样品表面所在平面上的投影，且所述孔(7)的所在部位在所述金属保护层的区域之外；步骤S04：完成所述样品的切割和提取流程。