[发明专利]具有垂直磁隧道结的磁存储装置

摘要

提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。

主权项

1.一种磁存储装置，所述磁存储装置包括：自由磁结构，以及参考磁结构，与自由磁结构分隔开并且具有布置在自由磁结构与参考磁结构之间的隧道阻挡件，其中，自由磁结构包括垂直磁化增强层、交换耦合层以及在交换耦合层的相反侧上彼此分隔开的第一自由层和第二自由层，其中，第一自由层设置在第二自由层和隧道阻挡件之间，其中，第二自由层包括具有非晶结构的至少一部分，其中，垂直磁化增强层与交换耦合层分隔开并且布置在第二自由层的与交换耦合层相反的一侧上，其中，垂直磁化增强层包括金属氧化物层，所述金属氧化物层包括具有非晶结构的至少一部分，其中，第一自由层的厚度大于第一自由层具有最大垂直各向异性时的第一最大各向异性厚度，其中，第二自由层的厚度小于第二自由层具有最大垂直各向异性时的第二最大各向异性厚度，以及其中，垂直磁化增强层比隧道阻挡件薄。