[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底的部分表面形成牺牲层和位于所述牺牲层表面的第一掩膜层，第一掩膜层的表面具有第一粗糙度；去除第一掩膜层底部的部分牺牲层，使第一掩膜层悬空于衬底上方；之后，对第一掩膜层进行退火，使第一掩膜层的表面具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度；之后，在衬底表面形成第二掩膜材料膜，第二掩膜材料膜包围第一掩膜层，第二掩膜材料膜的表面高于或齐平于第一掩膜层的底部表面；刻蚀第二掩膜材料膜，直至暴露出衬底表面为止，并以第一掩膜层为掩膜，在第一掩膜层和衬底之间形成第二掩膜层；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀衬底。该半导体结构的形貌得到改善，提高所形成的半导体结构的尺寸精确度。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底的部分表面形成牺牲层和第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述牺牲层表面，且所述第一掩膜层的表面具有第一粗糙度；去除所述第一掩膜层底部的部分牺牲层，使所述第一掩膜层悬空于衬底上方；在去除牺牲层之后，对所述第一掩膜层进行退火，使所述第一掩膜层的表面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；在对所述第一掩膜层进行退火之后，在衬底表面形成第二掩膜材料膜，所述第二掩膜材料膜包围所述第一掩膜层，所述第二掩膜材料膜的表面高于或齐平于所述第一掩膜层的底部表面；刻蚀所述第二掩膜材料膜，直至暴露出衬底表面为止，并以所述第一掩膜层为掩膜，在第一掩膜层和衬底之间形成第二掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底。