[发明专利]纳米结构阵列材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410356646.3 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104118843A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 谈嘉慧;陈之战;石旺舟;何鸿;张永平 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 周云 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明纳米结构阵列材料及其制备方法，具体指一种耐高温、抗腐蚀、拥有纳米线阵列的宽禁带半导体4H晶型碳化硅材料及其制备方法，涉及纳米结构阵列材料技术领域。本发明包括不同晶型的SiC纳米线，如3C、4H和6H晶型的SiC纳米线，如基于n型重掺杂4H-SiC衬底，通过选择适当的脉冲频率和停留时间对两极施加恒脉冲电流得到均匀介孔阵列，然后适当增大电流正向占宽比与电流密度使得底部孔与衬底脱离，通过剥离手段得到该纳米线阵列。其具有简单可靠，重复率高，纳米线阵列密度高，节省制备成本等优点。在为电力电子和航天航空领域，应用高载流子迁移率，热导率，抗腐蚀，耐高压等优点的碳化硅产品，提供坚实的技术物质基础。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 阵列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构阵列材料，其特征在于，包含不同晶型的SiC纳米线，如3C、4H和6H晶型的SiC纳米线，如基于n型重掺杂4H‑SiC衬底，厚度为300～500μm，双面抛光，经电化学刻蚀法、剥离手段得到的4H晶型SiC纳米线阵列。
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