[发明专利]一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺在审
| 申请号： | 201410342848.2 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104131345A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姜大川;李佳艳;谭毅;李鹏廷;任世强 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺，属于多晶硅制备领域。一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置，所述装置包括炉体，炉体内部设有定向凝固块和置于定向凝固块之上的坩埚；所述定向凝固块下方中央处设有通气的底部管道(9)，底部管道的管口离定向凝固块的距离为2～5cm。本发明所述的装置节省了炉体热场成本、人力成本及熔化阶段的能原消耗，降低生产成本5％，能够节省半熔工艺的熔化、长晶及冷却时间约4h，节省时间成本5％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 气冷 多晶 熔铸 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置，其特征在于：所述装置包括炉体(2)，炉体(2)内部设有定向凝固块(7)和置于定向凝固块(7)之上的坩埚(6)；所述定向凝固块(7)下方中央处设有通气的底部管道(9)，底部管道(9)的管口离定向凝固块(7)的距离为2～5cm。
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