[发明专利]电阻式非易失性存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410315518.4 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105280811B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 吴伯伦;林孟弘;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式非易失性存储器装置及其制造方法。上述电阻式非易失性存储器装置包括一第一电极；一第二电极，设置于上述第一电极上；一电阻转态层，设置于上述第一电极和上述第二电极之间，其中上述电阻转态层包括一第一区域，具有一第一氮原子浓度；一第二区域，相邻于上述第一区域，其中第二区域具有不同于上述第一氮原子浓度的一第二氮原子浓度。本发明能够提升电阻式非易失性存储器装置的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 非易失性存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式非易失性存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极；一第二电极，设置于该第一电极上；以及一电阻转态层，设置于该第一电极和该第二电极之间，其中该电阻转态层包括：一第一区域，具有一第一氮原子浓度；以及一第二区域，相邻于该第一区域，其中第二区域具有不同于该第一氮原子浓度的一第二氮原子浓度。
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