[发明专利]一种磁性存储装置、磁性存储阵列结构及其驱动方法在审
| 申请号： | 201410307494.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105469820A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;杨凯;赵俊峰;王元钢;杨伟;傅雅蓉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种磁性存储装置、磁性存储阵列结构及其驱动方法，涉及计算机领域，解决了现有技术中直线型磁性存储轨道的面积收益低的问题，从而提高了磁性存储轨道的数据存储量。该磁性存储装置包括：第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和隧道型巨磁电阻效应TMR读写磁头；沿第一方向设置的第一磁性存储轨道和沿第二方向设置的第二磁性存储轨道，第一磁性存储轨道的一端和第二磁性存储轨道的一端相连；其中，TMR读写磁头沿第一方向贯穿第二磁性存储轨道设置，或者，TMR读写磁头沿第三方向贯穿第二磁性存储轨道设置，TMR读写磁头的自由层为第二磁性存储轨道，第一方向为非第二磁性存储轨道所在平面的任一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 装置 阵列 结构 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性存储装置，包括第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和隧道型巨磁电阻效应TMR读写磁头，其特征在于，所述磁性存储装置，还包括：沿第一方向设置的第一磁性存储轨道和沿第二方向设置的第二磁性存储轨道，所述第一磁性存储轨道的一端和所述第二磁性存储轨道的一端相连；其中，所述TMR读写磁头沿第一方向贯穿所述第二磁性存储轨道设置，或者，所述TMR读写磁头沿第三方向贯穿所述第二磁性存储轨道设置，所述TMR读写磁头的自由层为所述第二磁性存储轨道，所述第一方向为非第二磁性存储轨道所在平面的任一方向。
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