[发明专利]一种AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法，在图案化后的n-GaAs衬底上外延生长n-GaAs纳米棒核层，然后在n-GaAs纳米棒侧壁上依次外延生长n-InAlP限制层，(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P/(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P多量子阱有源层，p-InAlP限制层，p-GaP覆盖层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上外延生长各层。核-多壳层结构加强了载流子的限制且可抑制载流子在界面处的复合几率和散射几率。LED有源区层生长在纳米棒圆柱形表面，增加了发光面积，可以大大提高发光效率。半导体纳米棒的非平面的几何形状可增加光提取效率，且根据量子约束效应，通过改变纳米棒直径，可以实现多色发光。

主权项

一种AlGaInP发光二极管外延片，其特征在于：所述外延片的结构为：在图案化后的n‑GaAs衬底上外延生长n‑GaAs纳米棒核层(1)，然后在n‑GaAs纳米棒侧壁上依次外延生长n‑InAlP限制层(2)，(Al_xGa_1‑x)_0.5In_0.5P/(Al_yGa_1‑y)_0.5In_0.5P有源层(3)，p‑InAlP限制层(4)，p‑GaP覆盖层(5)，所述外延片采用n‑GaAs核‑多壳层结构。