[发明专利]一维光子晶体选择性辐射器有效
| 申请号： | 201410285140.8 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104076530B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;方泽波;刘士彦 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01L31/055 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种一维光子晶体选择性辐射器，包括基体材料和交替沉积在基体材料上的多个周期的铒掺杂二氧化硅薄膜和硅薄膜两种介质材料。其中，基体材料为硅。沉积在基体材料上的第一层薄膜是铒掺杂二氧化硅薄膜。本发明将稀土铒离子的特征辐射与光子晶体的光谱调控特性相结合，获得性能优异的选择性辐射特性，大幅提高TPV及STPV系统的光电转换效率。且还具有结构简单，制备方法成熟等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 选择性 辐射器 | ||
【主权项】：
一种一维光子晶体选择性辐射器，包括：基体材料，在所述基体材料上交替沉积多个周期的二氧化硅薄膜和硅薄膜两种介质材料；其中，沉积在所述基体材料上的第一层薄膜是二氧化硅薄膜，其特征在于，所述基体材料为硅，所述二氧化硅薄膜为铒掺杂二氧化硅薄膜。
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