[发明专利]一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法有效
| 申请号： | 201410256784.4 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104002003A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 冯小成;荆林晓;练滨浩;曹玉生;贺晋春;陈宪荣;陈建安;姚全斌 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K3/08 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 负载 空洞 真空 钎焊 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；步骤(二)、将步骤(一)得到的待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在所述待钎焊的芯片与所述待钎焊镀金装片区之间放入钎料；步骤(三)、将步骤(二)得到的待焊接试样放置在钎焊设备中进行钎焊，具体过程如下：(1)、从室温升温至175～185℃，升温速率为1～1.5℃/s，保温4～5分钟；(2)、继续升温至215～225℃，升温速率为1～1.5℃/s，抽真空，使钎焊设备中的真空度降低至<0.001mbar；(3)、继续升温至275～285℃，升温速率为1～1.5℃/s，并使钎焊设备中真空度升至0.45～0.55mbar；(4)、继续升温至315～325℃，升温速率为1～1.5℃/s，并使钎焊设备中真空度保持在0.45～0.55mbar，保温2～3分钟；(5)、降温至255～265℃，降温速率为1.8～2.2℃/s，并使钎焊设备中真空度保持在0.45～0.55mbar，之后再降温至室温，降温速率为3～4℃/s，完成钎焊。
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