[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201410246711.7 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104241443A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 白荷妍;崔正薰;沈玖奂 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池的制造方法包括形成光电转换单元以及形成连接到光电转换单元的电极。形成电极的步骤包括形成连接到光电转换单元的晶种形成层,在晶种形成层上形成抗氧化层,执行热处理使得晶种形成层的材料和光电转换单元的材料彼此反应以在晶种形成层和光电转换单元彼此相邻的部分处形成化学结合层,在掩模被用在晶种形成层上的状态下在晶种形成层上形成导电层和覆盖层,以及使用导电层或覆盖层作为掩模来对晶种形成层进行图案化。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,所述制造方法包括:形成光电转换单元;以及形成连接到所述光电转换单元的电极,其中,形成所述电极的步骤包括:形成连接到所述光电转换单元的晶种形成层;在所述晶种形成层上形成抗氧化层以防止所述晶种形成层的氧化;执行热处理使得所述晶种形成层的材料与所述光电转换单元的材料彼此反应以在所述晶种形成层和所述光电转换单元彼此相邻的部分处形成化学结合层;在掩模被布置在所述晶种形成层上的状态下在所述晶种形成层上形成导电层和覆盖层;以及使用从所述导电层和所述覆盖层中选择的一个作为掩模来对所述晶种形成层进行图案化。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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