[发明专利]一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，待检测的硅通孔结构包括：硅通孔、硅衬底、氧化物层、填充金属、第一金属电极以及第二金属电极；硅衬底为重掺杂硅衬底；硅通孔位于硅衬底上；氧化物层位于硅通孔内壁上；填充金属填充在以氧化物层为侧壁的硅通孔内；第一金属电极与填充金属相连，并外露于硅通孔结构的封装外壳，第二金属电极与硅衬底形成欧姆连接，并外露于硅通孔结构的封装外壳，硅通孔结构自身形成MOS结构；测量漏电流；测量MOS结构的击穿电压。本发明通过革新硅通孔结构，在硅通孔的结构基础上形成MOS结构，从而实现高效，简洁的硅通孔绝缘层淀积工艺检测。

主权项

一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于，待检测的硅通孔结构包括：硅通孔、硅衬底、氧化物层、填充金属、第一金属电极以及第二金属电极；所述硅衬底为重掺杂硅衬底；所述硅通孔位于所述硅衬底上；所述氧化物层位于所述硅通孔内壁上；所述填充金属填充在以所述氧化物层为侧壁的硅通孔内；所述第一金属电极与所述填充金属相连，并外露于所述硅通孔结构的封装外壳，所述第二金属电极与所述硅衬底形成欧姆连接，并外露于所述硅通孔结构的封装外壳，所述硅通孔结构自身形成MOS结构；通过在第一金属电极以及第二金属电极施加直流电压，测量所述MOS结构的漏电流；测量所述MOS结构的击穿电压；在测量的漏电流不超过10^‑9A量级的情况下，判断出所述硅通孔结构的绝缘层完好；在测量的击穿电压属于预定击穿电压范围内的情况下，判断出所述硅通孔结构的绝缘层淀积质量符合要求。