[发明专利]具有嵌入式声道的电容性感测结构有效
| 申请号： | 201410239450.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104291262A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | M-L.陈;X.李;M.林 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B5/00 | 分类号： | B81B5/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 声道 电容 性感 结构 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：双膜，其包括顶膜和底膜；电极，其中所述底膜位于所述顶膜和所述电极之间；以及互连结构，其限定所述顶膜和所述底膜之间的间隔。
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