[发明专利]一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法在审
| 申请号： | 201410236295.2 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104158087A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李建军;林盛杰;何林杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法，属于量子阱混杂技术领域。首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的半导体激光器外延晶片，然后晶片在经过标准清洗后采用等离子化学气相沉积生长电介质层，使其表面产生晶格缺陷。接着通过高温短时循环退火使部分表面晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂，从而改变量子阱的能带结构。本发明解决了在量子阱混杂过程中，高温退火导致的量子阱质量退化的问题。本发明为建立无吸收窗口层提供了重要的依据，尤其是发现了一种新的退火方法来提高量子阱混杂的晶体质量，可降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ingaas algaas 量子 混杂 循环 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种高温短时循环退火方法来实现量子阱混杂的同时保护量子阱的晶体质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的外延晶片；(2)步骤(1)的外延晶片经过清洗后，采用等离子化学气相沉积生长一层SiO2电介质层；(3)采用退火炉将步骤(2)的产品在纯氮气环境中进行循环退火：退火温度800～850℃,退火时间2～8分钟，然后将样品取出冷却至室温，接着再将样品送入退火炉以相同的温度和时间进行退火，然后将样品取出冷却至室温，如此进行多次退火和冷却循环；通过退火使部分缺陷扩散到量子阱里面，导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410236295.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方便维修的电柜
- 下一篇：一种提高二氧化碳激光玻璃管使用性能的方法
