[发明专利]改善关键尺寸均匀性的方法在审
| 申请号： | 201410222757.5 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097454A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 孙超;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有光阻层的晶圆，进行曝光及显影以在所述光阻层中形成若干开口；S2：对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的光阻；S3：对所述晶圆进行Ar/O2电浆处理以进一步对所述光阻层进行刻蚀，并调节Ar与O2的流量比例，使得晶圆边缘部位的光阻刻蚀速率大于晶圆中间部位的光阻刻蚀速率；S4：以Ar/O2电浆处理后的光阻层为掩模对所述晶圆进行刻蚀。本发明在电浆预处理后再经过一步Ar/O2电浆处理，并调节Ar与O2的流量比例，使得晶圆边缘部位的光阻刻蚀速率大于晶圆中间部位的光阻刻蚀速率，从而调节晶圆边缘部位及晶圆中间部位的光阻开口尺寸，改善刻蚀后通孔关键尺寸的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有光阻层的晶圆，进行曝光及显影以在所述光阻层中形成若干开口；S2：对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的光阻；S3：对所述晶圆进行Ar/O2电浆处理以进一步对所述光阻层进行刻蚀，并调节Ar与O2的流量比例，使得晶圆边缘部位的光阻刻蚀速率大于晶圆中间部位的光阻刻蚀速率；S4：以Ar/O2电浆处理后的光阻层为掩模对所述晶圆进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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