[发明专利]一种提高晶硅电池片并联电阻的方法在审
| 申请号： | 201410212533.6 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104882512A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 习冬勇;龚海波;陈淳;万小强;高杨 | 申请（专利权）人： | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，它通过激光切割机对低并联电阻电池片按所设定的切割轨迹进行切割而成。它的效果是：1、改善效果好，通过用本方法对低并联电阻电池片进行改善，并联电阻提升明显，Rsh＞30Ω比例达60％以上；2、生产效率高；3、经改良后的电池组件功率封装损耗小于3％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电池 并联 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，其特征在于，它由如下步骤组成： 第一步：启动激光切割机，设置好切割参数及切割轨迹； 第二步：将低并联电阻电池片置于激光切割机操作平台上，打开真空阀将低并联电阻电池片固定； 第三步：在氮气保护下，按所设定的切割轨迹对低并联电阻电池片边缘进行切割； 第四步：关闭真空阀，取下电池片； 第五步：对电池片性能测试及组件功率测试。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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