[发明专利]去除高压二极管表面印记的方法有效
申请号: | 201410207389.7 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN103943466B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 陈许平;刘卉 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 | 代理人: | 孙民兴 |
地址: | 226502 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及清洗高压二极管表面印记油墨的工艺方法。具体方法步骤依次是碱液的配制;开启碱液塑料槽中加热器控制开关,设定碱液温度为55±2℃;称取1.5Kg印记待处理品放入不锈钢筐篮;将不锈钢筐篮浸没于碱液中,处理200±10s,中途手动摆动10~12次;取出不锈钢筐篮,目测管体印记是否彻底清除,管体是否有易色现象;自来水浸洗;稀硫酸处理;流水清洗;最后干燥。优点是采用三种碱配制成的溶液对制品进行清洗处理,去除管体表面印记;再使用稀酸溶液清洗掉管体表面的碱液;处理后的产品再进行引线镀锡,重新打印标记后即可成为正常品;印记不良品或特殊标记呆滞品,返工处理后可成为正常合格产品,减少了产品无谓的损耗,提高了产品最终成品率。 | ||
搜索关键词: | 去除 高压 二极管 表面 印记 方法 | ||
【主权项】:
去除高压二极管表面印记的方法,其特征在于以下步骤:1)碱液的配制:准备好氢氧化钠、碳酸钠、磷酸三钠,按NaOH:Na2CO3:Na3PO4=1:1.5:1的比例,分别称取NaOH 1Kg、Na2CO3 1.5Kg、Na3PO4 1Kg置于塑料槽中,加入15L水,开启搅拌器,使完全溶解;2)开启碱液塑料槽中加热器控制开关,设定碱液温度为55±2℃;称取1.5Kg印记待处理品放入不锈钢筐篮;3)将不锈钢筐篮浸没于碱液中,处理200±10s,中途手动摆动10~12次;处理完毕后取出不锈钢筐篮,目测管体印记是否彻底清除,管体是否有易色现象;4)自来水浸洗:将不锈钢筐篮转移至第一级水槽中,浸洗4~6min;5)稀硫酸处理:取出不锈钢篮,放入15%稀硫酸槽中处理4~6min;6)流水清洗:将不锈钢筐篮转移至第二级水槽中,流水冲洗4~6min;7)干燥:打开烘箱开关,设定温度110±5℃;将流水清洗的不锈钢筐篮置于烘箱中干燥60min;干燥后的产品进行引线镀锡、再次打印即成为正常合格产品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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