[发明专利]一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法有效
申请号: | 201410187232.2 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN105097420B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 谭秀文;雷声宏 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人: | 汪洋,刘明霞 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。其包括提供具有第一高温计的参考机台、具有第二高温计的待校准机台和具有热电偶的校准基片;将校准基片置于参考机台内;在预定热处理菜单下对校准基片进行热处理,通过热电偶测量校准基片的第一温度曲线;将校准基片置于待校准机台内,并将预定热处理菜单复制到待校准机台,在待校准机台内在预定热处理菜单下对校准基片进行热处理;在待校准机台的校温菜单内根据第二高温计和热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线;在待校准机台的调节菜单内调整校温曲线的偏移量,使热电偶测量的校准基片的第二温度曲线与第一温度曲线在主工艺阶段匹配,得到校准后的热处理菜单。该方法效率高成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 masson 快速 热处理 机台 温度 校准 方法 | ||
【主权项】:
一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法,用于实现待校准机台的热处理菜单的校准,其特征在于,所述方法包括:a)提供参考机台、待校准机台和校准基片,其中,所述参考机台和所述待校准机台内分别设置有第一高温计和第二高温计,所述校准基片上设置有用于测量所述校准基片的温度的热电偶;b)将所述校准基片放置在所述参考机台内;c)在预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理,并通过所述热电偶测量所述校准基片的第一温度曲线;d)将所述校准基片放置在所述待校准机台内,并将所述预定热处理菜单复制到所述待校准机台,以在所述待校准机台内在所述预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理;e)在所述待校准机台的校温菜单内根据所述第二高温计和所述热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线;以及f)在所述待校准机台的调节菜单内调整所述校温曲线的偏移量,以使所述热电偶测量的所述校准基片的第二温度曲线与所述第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配,得到校准后的热处理菜单。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410187232.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造