[发明专利]高能量离子注入装置

摘要

本发明提供高能量离子注入装置中的高效率射束传输技术。本发明的高能量离子注入装置具备射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元，对离子束进行加速而生成高能量离子束；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。偏转单元由多个偏转电磁铁构成，并在多个偏转电磁铁之间插入有至少1个横向会聚要件。

主权项

一种高能量离子注入装置，其对从离子源提取的离子束进行加速，沿着射束线传输到晶片并注入到该晶片中，所述高能量离子注入装置的特征在于，具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元，对所述离子束进行加速而生成高能量离子束；高能量射束的偏转单元，将所述高能量离子束朝向晶片进行方向转换；射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片；及基板处理供给单元，将传输到的高能量离子束均匀地注入到晶片中，所述射束传输线单元具有射束整形器、高能量用电场式射束扫描器、高能量用电场式射束平行化器及高能量用电场式最终能量过滤器，并构成为，对从所述偏转单元出来的高能量离子束通过所述电场式射束扫描器及所述电场式射束平行化器进行射束扫描并且将其平行化，且通过所述高能量用电场式最终能量过滤器去除质量、离子价数及能量中至少一个不同的混入离子后注入到所述晶片中，所述偏转单元由多个偏转电磁铁构成，并在所述多个偏转电磁铁之间插入有至少1个横向会聚要件，所述横向会聚要件调整能量分散函数与其变化率，以使在离子注入位置离子束的截面尺寸成为所希望的大小。