[发明专利]一种低能隙宽吸收的共轭聚合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201410179009.3 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103923106A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李坚;姚尧;任强;汪称意 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机半导体制备技术领域，具体为一种可应用于太阳能电池的低能隙宽吸收的共轭单体聚合物及其制备方法，本发明的技术方案是以3，4-乙撑二氧基噻吩(EDOT)为供电子单元，2，1，3苯并噻二唑(BT)为受电子单元，采用Heck偶合反应由EDOT与BT得到新型D-A型共轭单体EDOTBT，该共轭单体具有较强的电子推拉效应，通过Heck偶合反应或者Suzuki偶合反应可由上述D-A型共轭单体制备高分子量新型聚合物，这些聚合物具有低带隙、宽吸收、较高的光转化效率及良好的成膜性的特点，可用做聚合物太阳能电池的活性层，可有效提高聚合物太阳能电池的能量转换效率，适宜在聚合物太阳能电池中推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低能 吸收 共轭 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低能隙宽吸收的D‑A型共轭单体，其特征在于：所述单体的结构式为：![]()
其中，R为H、Cl、Br或I。
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