[发明专利]一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法无效
| 申请号： | 201410178484.9 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104078530A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王国宁;周青;郭芳芳 | 申请（专利权）人： | 江西科技学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330098 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法，它涉及晶体硅太阳电池制造领域。本发明通过对晶体硅太阳电池普遍工艺流程的改进，在晶体硅太阳电池普遍工艺流程的基础上增加一道背表面镀膜工艺，在晶体硅太阳电池前、后表面制作双绒面陷光结构，增强了晶体硅太阳电池的陷光效应，提高太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双绒面 晶体 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法，其特征在于，其制造工艺流程为：1、制绒及扩散前清洗；2、扩散制结；3、背表面镀膜；4、刻蚀去边结及去PSG（磷硅玻璃），5、PECVD镀膜；6、丝网印刷金属化电极及烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
