[发明专利]一种深阱退火方法在审
| 申请号： | 201410161259.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103903981A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 温振平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深阱退火方法，通过将少量氧气和大量惰性气体比如氧气和纯氮气的混合气体通入工艺腔来对硅衬底的有源区进行退火处理，解决了传统深阱热退火工艺中用纯氮气作为反应气体而在硅衬底的晶格损伤处易形成Si3N4粒子缺陷的问题，从而消除了硅衬底由于深阱工艺造成的晶格损伤缺陷；同时还消除了传统深阱热退火工艺中形成气态氧化硅所造成的有源区缺陷；此外，少量氧气的加入还可以使硅衬底表面生成SiO2薄膜而释放一些应力，从而有效减小硅衬底在热处理中翘曲的程度，由此，采用本发明的深阱退火方法，可以消除有源区的缺陷，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种深阱退火方法，包括向工艺腔中通入反应气体和加热硅衬底，其特征在于，所述反应气体由氧气和惰性气体组成，其中，所述氧气与所述惰性气体的比例不大于20%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
