[发明专利]一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜无效
| 申请号： | 201410156268.4 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104072129A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杨长红;隋慧婷;吴海涛;杨锋;胡广达 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622;C03C17/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5(Ti1-xZrx)O3表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等价 离子 掺杂 钛酸铋钠 薄膜 | ||
【主权项】：
一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，其特征是：以化学通式Na0.5Bi0.5(Ti1‑xZrx)O3表示，其中，Na0.5Bi0.5TiO3为基体，锆离子为掺杂离子。
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