[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

一种太阳能电池及其制造方法，包含一晶体硅半导体基板、一本质非晶硅半导体层、一非晶硅半导体层以及一透明导电层。所述晶体硅半导体基板具有一第一型掺杂，且所述晶体硅半导体基板上设有至少一沟槽，形成一封闭图形，封闭图形内定义为一第一电极区域，封闭图形外定义为一第二电极区域。其中本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层依序形成于晶体硅半导体基板上以及沟槽内，所述本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层于沟槽处会形成不连续的结构，并于第一与第二电极区域之间产生绝缘效果。

主权项

一种太阳能电池，其特征在于，包括一晶体硅半导体基板，具有一第一型掺杂，该晶体硅半导体基板至少一表面设有一沟槽，该沟槽形成一封闭图形，该封闭图形内定义为一第一电极区域，该封闭图形外定义为一第二电极区域；一本质非晶硅半导体层，形成于该晶体硅半导体基板上以及该沟槽内；一非晶硅半导体层，具有一第二型掺杂，该非晶硅半导体层形成于该本质非晶硅半导体层上；以及一透明导电层，形成于该非晶硅半导体层上；其中，该沟槽的深度大于该沟槽内的该本质非晶硅半导体层、该非晶硅半导体层与该透明导电层的厚度总和。