[发明专利]一种BCD集成工艺无效
| 申请号： | 201410127091.5 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103871970A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡浩;宁小霖 | 申请（专利权）人： | 成都立芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 郭霞 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD集成工艺，包括以下步骤：选择N型轻掺杂厚外延衬底；在N型厚外延衬底上形成P型埋层；在P型埋层上生长N型薄外延层；N阱注入；P阱注入；推阱和场氧生长；注入、退火形成P型轻掺杂顶层；或者，注入、退火形成p型场区；栅氧生长；多晶硅栅形成；源漏形成。采用本发明所述工艺制作CMOS、DMOS器件和寄生PNP晶体管器件，可降低器件的导通电阻，提升产品性能，还可以节省横向的耐压长度，从而节省芯片面积，降低制造成本，并能实现VDMOS与LDMOS的并联使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bcd 集成 工艺 | ||
【主权项】：
一种BCD集成工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）选择N型轻掺杂厚外延衬底；（2）在N型厚外延衬底上形成P型埋层；（3）在P型埋层上生长N型薄外延层；（4）N阱注入；（5）P阱注入；（6）推阱和场氧生长；（7）注入、退火形成P型轻掺杂顶层；或者，注入、退火形成p型场区；（8）栅氧生长；（9）多晶硅栅形成；（10）源漏形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
