[发明专利]一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法

摘要

本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，是利用当碳纳米管与金属接触时，半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒，而金属性碳纳米管则不会，故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大，造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属性碳纳米管电流小，基于此，可以采用电流灼烧、微波辅助烧断和热毛细胶法等方法去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管。本发明制备工艺简单，可利用的碳纳米管占据整根碳纳米管比例更高，所获得的半导体碳纳米管整体管径更小，电学性能更好；金属性碳纳米管完全去除，可以得到纯度100%的半导体碳纳米管，所以开关比更大，适合做高速数字电路。

主权项

一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，包括以下步骤：1）在基底上制备碳纳米管阵列；2）在生长好碳纳米管阵列的基底上制作源漏电极，制作源漏电极的金属为可以和半导体碳纳米管形成肖特基接触的金属；3）使用恒压源或者周期性电源给源漏电极加电压，烧断金属性碳纳米管；4）去除源漏电极。