[发明专利]离子注入层的光学临近效应修正方法

摘要

本发明揭露了一种离子注入层的光学临近效应修正方法，包括提供相关层的版图，通过逻辑计算得到离子注入层的原始版图；将所述原始版图中单点相连的图形和非单点相连图形分离开；针对两者分别采用不同的预处理方法，然后再将预处理后的图形进行合并，从而有效避免OPC修正过程中产生不合理图形导致工艺弱点出现的状况，大大提高器件可靠性和产品良率。

主权项

一种离子注入层的光学临近效应修正方法，包括：提供一离子注入层的相关层的版图，通过逻辑计算得到所述离子注入层的原始版图；根据判定方法选出原始版图中单点相连的点；将与单点相连的点相连的边从原始版图中分离去除；对单点相连的图形中非单点相连处的边进行放大处理，对单点相连处的边不进行放大处理，对非单点相连图形进行放大处理；合并单点相连的图形和非单点相连图形，得到离子注入层的预处理版图数据；对所述预处理版图数据进行OPC修正，获得图形数据。