[发明专利]离子注入层的光学临近效应修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种离子注入层的光学临近效应修正方法。

背景技术

在先进光刻工艺中，由于曝光图形尺寸的缩小，特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长，光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应的影响，造成的掩膜版上的图形在转移到晶圆上后发生图形偏差，特别在图形相互邻近的部分，由于光波干涉和衍射作用明显，图形偏差会相对更大，例如在线段顶端和图形拐角处，线宽发生变化、转角圆化、线长缩短等变形和偏差更加明显，直接影响器件性能和产品良率。为了消除这种误差和影响，需要对光掩模图形进行预先的光学临近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)，来弥补光学临近效应。OPC通过对要形成的图形在掩膜版上进行修正，来弥补光刻工艺中的图形变形使得转移到晶圆上的图形与预期图形基本符合。随着技术节点的不断降低，除了关键层次外，离子注入层次也需要进行OPC修正，然而在先进工艺中，由于离子注入层的特殊性，离子注入层的原始版图通常会由其他层次版图进行逻辑运算所产生，在离子注入层的原始版图中会出现一些由逻辑运算产生出来的特殊不规则图形，其中一种特殊不规则图形称为单点相连不规则图形，该类图形按照常规的OPC修正方法，容易在修正过程中存在形成桥接现象的风险，从而导致在曝光过程中产生工艺弱点。

为了增加先进工艺中离子注入层的光刻工艺窗口，防止光阻发生倒焦，预处理中需要对原始版图数据中规定尺寸的“岛”以及“洞”图形进行基于不同规则的预处理放大，然而对于一些由逻辑运算所产生的单点相连的特殊不规则图形，例如参照附图1中，图1中分别用左斜线填充表示原始版图图形，右斜线填充表示现有预处理后的图形，所述原始版图上包括“岛”类非单点相连的图形101，单点相连的图形102，图形102和图形103在点A处相连，“洞”类图形109，由图形104和图形105在点B和点C处单点相连组成。经过传统的预处理放大后分别形成图形102’、图形103’、图形104’以及图形105’，这样经过OPC修正仿真得到的图形如图2所示，图形202’和203’发生桥接，图形204’和205’也会发生桥接，。由于预处理会导致不合理图形的产生，从而影响后续的OPC修正图形，在曝光过后存在形成桥接现象的风险，导致出现工艺弱点，严重影响器件的可靠性和产品的良率。

发明内容

本发明提供一种离子注入层的光学临近效应修正方法，以克服现有对离子注入层的OPC修正过程中产生不合理图形，导致出现工艺弱点的状况，提高了OPC修正的准确性及效率。

为解决以上问题，本发明提供一种离子注入层的光学临近效应修正方法，包括：提供相关层的版图，通过逻辑计算得到离子注入层的原始版图；

将所述原始版图中单点相连的图形和非单点相连图形分离开；

对单点相连的图形中非单点相连处的边进行放大处理，对单点相连处的边不进行放大处理，对非单点相连图形进行放大处理；

合并预处理后的单点相连的图形和非单点相连图形，得到离子注入层的预处理版图数据；

对所述预处理版图数据进行OPC修正，获得图形数据。

可选的，将所述原始版图中单点相连的图形和非单点相连图形分离开的方法包括：

根据判定方法选出原始版图中单点相连的点；

将与单点相连的点相连的边从原始版图中分离去除。

可选的，所述判定方法为：所述原始版图按照设计时的最小格点分成多个片段，当原始版图上任意一个图形的任意一个顶点与另一图形的任意一顶点处于同一格点之上，且从该格点延伸出来的片段中的图形的边未重叠，则判断该点为单点相连的点。

可选的，所述最小格点尺寸为0.01nm～10nm。

可选的，所述原始版图中包括“岛”和“洞”类图形。

可选的，放大处理包括：预先按预处理规则设定好各图形进行放大处理的临界值，当“岛”类图形的边大于设置的对应临界值时，对其进行放大，当“洞”类图形的边小于设置的对应临界值时，对其进行放大。

可选的，将对应边按比例或者一定尺寸进行放大。

可选的，将对应边按放大原尺寸的2%～20%进行放大。

与现有技术相比，本发明所提供的离子注入层的光学临近效应修正方法针对先进工艺中的离子注入层，将单点相连的不规则图形与非单点相连图形分离开来，分别采用不同的预处理方法，从而有效避免OPC修正过程中产生不合理图形导致工艺弱点出现的状况，提高了OPC修正的准确性及效率。

附图说明