[发明专利]监控栅极漏电的测试结构和测试方法在审
| 申请号： | 201410109815.3 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103871924A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种监控栅极漏电的测试结构和测试方法,形成梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层，两者交错排列并相互隔离，在进行测试时，只需测试栅极和自对准层之间是否存在漏电流即可判断出栅极工艺是否存在问题，从而能够在形成栅极之后测试出栅极漏电情况，从而在早期快速地监控到具有较窄的栅极间距的区域的相关工艺异常的情况，或者可以发现相应的可靠性缺陷，极大地提高了产品的质量和可靠性，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 栅极 漏电 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种监控栅极漏电的测试结构，用于监测栅极漏电现象，所述结构包括：梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层，所述栅极和自对准层交错排列，且两者之间相互隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410109815.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：脚手架安全监测及预警的方法
- 下一篇：量测装置与量测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
