[发明专利]一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201410102318.0 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103896578A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 许积文;朱归胜;王华;徐华蕊;张小文 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 电阻率 氧化锌 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，包括：在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。
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