[发明专利]一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201410102318.0 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103896578A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 许积文;朱归胜;王华;徐华蕊;张小文 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 电阻率 氧化锌 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，包括：在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述的助烧剂是Bi2O3、B2O3或SiO2。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述的助烧剂是由Bi2O3、B2O3和SiO2中的任意两种氧化物组成的混合物。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述的助烧剂是由Bi2O3、B2O3和SiO2三种氧化物组成的混合物。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的制备方法，其中所述的助烧剂添加比例是：掺杂ZnO粉体的0.01～1.00重量%。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中所述掺杂ZnO粉体中的掺杂剂是Al2O3、Ga2O3或In2O3。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中所述掺杂剂的掺杂比例是:重量占比0.5～10%。
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