[发明专利]一种湿法-干法刻蚀结合提升熔石英元件阈值的表面处理方法无效
| 申请号： | 201410099320.7 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103922601A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 祖小涛;向霞;晏中华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种湿法-干法刻蚀结合提升熔石英元件阈值的表面处理方法，属于光学材料与光学元件技术领域，具体涉及一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理方法。该发明首先采用去离子水清洗传统的研磨抛光工艺加工的熔石英元件表面，然后采用无水乙醇进行超声清洗；再将熔石英元件采用氢氟酸溶液进行刻蚀处理，然后用去离子水清洗和无水乙醇脱水；最后采用含能惰性离子束进行表面抛光，去除酸刻蚀反应产物SiF62-并改善表面粗糙度。本发明可去除传统加工的熔石英元件表面残留抛光粉并钝化缺陷，同时又能获得良好的表面粗糙度。因此，本发明能快速有效提升熔石英元件的抗激光损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 结合 提升 石英 元件 阈值 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法‑干法刻蚀结合提升熔石英阈值的表面处理方法，包括以下步骤：步骤1：采用去离子水清洗传统的研磨抛光工艺加工的熔石英元件表面；步骤2：采用无水乙醇进行超声清洗；步骤3：对经步骤2处理后的熔石英元件采用氢氟酸溶液进行刻蚀处理；步骤4：刻蚀完毕后采用去离子水清洗熔石英元件，然后采用无水乙醇对元件脱水；步骤5：对经步骤4处理后的熔石英元件采用含能惰性离子束进行表面抛光，去除湿化学反应产物SiF62－。
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