[发明专利]一种采用核回归技术的自适应光学邻近效应校正方法有效
申请号: | 201410090470.1 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN103901713B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 马旭;吴炳良;宋之洋;李艳秋;刘丽辉 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人: | 仇蕾安,李爱英 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种采用核回归技术的自适应光学邻近效应校正方法,具体过程为建立EBOPC数据库和PBOPC数据库;将待优化的掩模图形分割成若干子掩模图形;确定每个子掩模图形中的观测点;为各观测点分配子区域;在各观测点周围区域内进行采样取点;计算每个观测点与其周围掩模图形的平均距离;采用核回归技术生成OPC回归结果;将所有子掩模图形对应的OPC回归结果拼接为对应于整体掩模图形的OPC回归结果;对整体掩模图形的OPC回归结果进行后处理,获得最终的OPC优化结果。本发明利用核回归技术,有效提高了传统PBOPC的运算效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 回归 技术 自适应 光学 邻近 效应 校正 方法 | ||
【主权项】:
一种采用核回归技术的自适应光学邻近效应校正方法,其特征在于,具体步骤为:步骤101、建立EBOPC数据库和PBOPC数据库;步骤102、将待优化的掩模图形分割成若干子掩模图形,相邻所述子掩模图形之间具有宽度为woverlap的重叠区域;步骤103、分别确定步骤102中的每个子掩模图形中的观测点,并将确定的观测点记为Ok,其中子掩模图形中的观测点包括凸角顶点、凹角顶点和掩模图形边缘上的观测点;步骤104、为步骤103中的每一个观测点Ok分配一个子区域Mapk,每一个子区域中仅包含一个观测点;步骤105、对于每一个观测点Ok,在其周围区域内进行采样取点,并将每个采样点对应像素值按顺序排列为一个向量步骤106、计算每个观测点Ok与其周围掩模图形的平均距离若则在步骤107中采用PBOPC数据库进行核回归,否则在步骤107中采用EBOPC数据库进行核回归,其中符号threshold表示预定的阈值;步骤107、针对每个观测点Ok,采用核回归技术,根据所述向量从步骤106所选定的数据库中选择先验OPC优化结果进行加权平均,生成对应于观测点Ok的OPC回归结果,并将观测点Ok的OPC回归结果填充到对应的子区域Mapk中,从而针对每一个子掩模图形拼接成一个OPC回归结果;步骤108、在每一个子掩模图形对应的OPC回归结果中,去掉其外围宽度为woverlap的边缘区域,并将所有子掩模图形对应的OPC回归结果拼接为对应于整体掩模图形的OPC回归结果;步骤109、对步骤108中获得的整体掩模图形的OPC回归结果进行后处理,并将最终获得的OPC图形作为最终的OPC优化结果。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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