[发明专利]具有超薄介电层的无焊内建层（BBUL）半导体封装有效
| 申请号： | 201410089779.9 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051379B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | W·H·郑;E·戴维斯-维恩;E·安迪戴丝;D·A·拉奥拉内;D·N·索别斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了具有超薄介电层的无焊内建层（BBUL）半导体封装。例如，一种装置包括半导体管芯，其包括集成电路，该集成电路具有多个外部导电凸起。半导体封装容纳所述半导体管芯。半导体封装包括介电层，其布置在多个外部导电凸起之上。导电过孔布置在介电层中，并耦合到多个导电凸起中的一个。导电线路布置在介电层上，并耦合到导电过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超薄 介电层 无焊内建层 bbul 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：包括间隔开的导电线路的图案的层；第一介电层，其布置在所述间隔开的导电线路的图案中的导电线路上以及所述间隔开的导电线路的图案中的导电线路之间；第二介电层，其布置在所述第一介电层上；导电过孔，其布置在所述第一介电层中；导电布线线路，其布置在所述第二介电层中且耦合到所述导电过孔；以及经构图的氮化钛层，其直接布置在所述第一介电层和所述第二介电层之间，其中，所述导电过孔布置在所述经构图的氮化钛层中，并且所述导电布线线路布置在所述经构图的氮化钛层上。
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