[发明专利]用于磁记录的装置和在两个磁性材料之间形成间隙的方法有效

专利信息
申请号: 201410086587.2 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN104050986B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 田伟;V·R·印图瑞;D·林;H·殷;邱教明 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/60 分类号: G11B5/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例,一种方法可通过如下实施:在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层;在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层;蚀刻所述材料的牺牲层的部分,并不完全去除所述材料的牺牲层;并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。 1
搜索关键词: 牺牲层 磁性材料 非磁性间隙层 蚀刻 沉积材料 牺牲材料 磁记录 主磁极 沉积 去除 申请
【主权项】:
1.一种用于磁记录的装置,包括:磁性主磁极;所述磁性主磁极上面的非磁性间隙层;在所述非磁性间隙层之上的蚀刻第一牺牲层,以及直接在所述蚀刻第一牺牲层之上并且与所述蚀刻第一牺牲层相邻的与所述蚀刻第一牺牲层材料相同的第二牺牲层,其中所述非磁性间隙层是具有第一间隙层和第二间隙层的多层间隙层。
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