[发明专利]一种沟槽内薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410082979.1 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103928299A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;王赞;赵大国 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽内薄膜的制备方法，通过将一具有通孔图案的载体衬底置于产品衬底的上方，并使得载体衬底的通孔对准衬底的沟槽，在器件表面形成薄膜层后，再剥离载体衬底，从而实现仅在产品衬底沟槽内形成薄膜，无需进行CMP工艺来掩膜去除多余的薄膜层，同时面对特殊材料的薄膜层也都可采用本发明所提供的方法来进行去除，并且剥离后的载体衬底可多次重复使用，极大的减少了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽内薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底及一载体衬底，刻蚀所述衬底形成沟槽；在所述载体衬底中形成通孔，所述通孔贯穿于所述载体衬底的上下表面；将所述载体衬底固定在所述衬底的上表面，且载体衬底中的通孔对准所述衬底的沟槽；制备一薄膜层将所述载体衬底的上表面和所述沟槽及孔洞内壁表面予以覆盖；剥离所述载体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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