[发明专利]提高铌酸锂高速光调制器工作频率及带宽的方法及装置有效
| 申请号： | 201410081444.2 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103777378B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 舒平;华勇;胡红坤;李薇;左敏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所50215 | 代理人： | 侯懋琪,侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种铌酸锂高速光调制器，包括光波导和行波电极，光波导中部和行波电极中部形成共面波导结构的互作用区；互作用区范围以外的行波电极两端分别形成输入区和输出区，其创新在于延长互作用区和输出区之间的行波电极长度，从而在互作用区和输出区之间形成一电反射抑制区，电反射抑制区范围内的行波电极结构参数与互作用区范围内的行波电极相同。本发明的有益技术效果是可对电反射微波信号的负面效果进行有效抑制，提高铌酸锂高速光调制器的工作频率及带宽，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 铌酸锂 高速 调制器 工作 频率 带宽 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂高速光调制器，包括：光波导（1）和行波电极（2），光波导（1）中部和行波电极（2）中部形成共面波导结构的互作用区（B）；互作用区（B）范围以外的行波电极（2）两端分别形成输入区（A）和输出区（C），其特征在于：延长互作用区（B）和输出区（C）之间的行波电极（2）长度，从而在互作用区（B）和输出区（C）之间形成一电反射抑制区（D），电反射抑制区（D）范围内的行波电极（2）结构参数与互作用区（B）范围内的行波电极（2）相同。
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