[发明专利]栅氧化层失效点的定位方法有效
| 申请号： | 201410076780.8 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103926264A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李桂花;仝金雨;刘君芳;郭伟;李剑 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种栅氧化层失效点的定位方法，通过于去除金属层后，采用中高加速电压形成的电子束扫描去除金属层后待测半导体结构得到一具有失效点图形电镜图，并根据该电镜图确定失效点在栅氧化层中的位置，从而能够更精确的定位栅氧化层的击穿点，进而有效的提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的成功率，进一步缩短了后续透射电镜样品的制备时间，提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的效率，给需要精确定位的透射电镜样品的制备提供了必要的条件，且在无法使用光学定位机台时，仍然可以精确定位栅氧化层的击穿点以及栅氧化层的失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层失效点的定位方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供一具有栅氧化层和依次位于该栅氧化层上方的栅极、绝缘层和金属层的待测半导体结构，且所述栅氧化层中具有失效点；步骤S2，去除所述金属层后，利用加速电压形成的电子束扫描剩余的待测半导体结构得到一具有失效点图形的电镜图，并根据该电镜图确定所述失效点在所述栅氧化层中的位置。
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