[发明专利]有源ESD保护电路有效
申请号: | 201410074430.8 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104051453B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张妍,张静洁 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于驱动高端功率开关和低端功率开关的高压栅极驱动电路,包含一个有源dv/dt触发ESD保护电路,耦合在受保护的节点和电源轨道节点之间。有源dv/dt触发ESD保护电路包含一个dv/dt电路,控制连接在受保护的节点和电源轨道节点之间的ESD保护晶体管。当受保护的节点处发生ESD事件时,ESD保护晶体管接通,将ESD电流从受保护的节点传导至电源轨道节点。时间常数之后,dv/dt电路充满电,使ESD保护晶体管停止工作。 | ||
搜索关键词: | 有源 esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种高压栅极驱动电路,用于驱动串联在输入电压节点和地电压之间的高端功率开关和低端功率开关,其特征在于,该栅极驱动电路包含:一个形成在浮动槽中的高端控制电路,其由相对于浮动电源电压节点处的浮动电源电压的升压节点处的升压电压供电,该栅极驱动电路包含:一个有源dv/dt触发ESD保护电路,耦合在受保护节点和电源轨道节点之间,该有源dv/dt触发ESD保护电路包含一个dv/dt电路,该电路控制一个连接在受保护节点和电源轨道节点之间的ESD保护晶体管,当受保护节点处发生ESD事件时,ESD保护晶体管接通,将ESD电流从受保护节点传导至电源轨道节点,在一时间常数之后,使dv/dt电路充满电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的