[发明专利]形成磁性器件的自由层的材料成分、自由层和磁性元件有效
| 申请号： | 201410069287.3 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104009154B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | R.切普尔斯凯;D.阿帕尔科夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 用于形成STT结构体(例如单或双MTJ结构体)中的自由层的材料成分可包括CoxFeyMz，其中M为帮助形成良好的结晶取向以及所述自由层和MgO界面之间的匹配的非磁性材料。所述材料M可优选不偏析至MgO界面，或者如果其偏析至MgO界面，其不显著降低所述自由层的PMA。所述自由层可进一步包括连接层，其中M在退火期间被吸引至连接层。所述自由层可包括CoxFeyMz的坡度成分，其中z在所述自由层中改变。 | ||
| 搜索关键词： | 自由层 连接层 偏析 退火 非磁性材料 磁性器件 磁性元件 结晶取向 结构体 坡度 优选 匹配 吸引 帮助 | ||
【主权项】：
用于形成磁性器件的自由层的材料成分，所述材料成分包括：CoxFeyMz，其中M为充当无定形化剂以帮助所述自由层的结晶取向与所述磁性器件的MgO界面匹配的非磁性材料，和其中M不偏析至MgO界面，其中M选自：Ge、Bi、Li、Be、F、N和H。
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