[发明专利]选区SiGeSn层及其形成方法在审
| 申请号： | 201410064527.0 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103839789A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 肖磊;王敬;赵梅;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在SiGe层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 选区 sigesn 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在所述SiGe层表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成开口；向所述SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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