[发明专利]一种肖特基二极管氢气传感器芯体及该芯体的制造方法

摘要

一种肖特基二极管氢气传感器芯体及该芯体的制造方法，属于传感器技术与制造领域。本发明是为了解决现有传感器芯体稳定性低和成本过高的问题。一种肖特基二极管氢气传感器芯体，所述第一二氧化硅层和第二二氧化硅层分别固定在半导体层的两侧，所述半导体层上固定有第二二氧化硅层的一侧开有空腔；第一二氧化硅层上开有凹槽，所述金属敏感薄膜层固定在该凹槽内；测温电阻和加热电阻均固定在第一二氧化硅层的表面。一种肖特基二极管氢气传感器芯体的制造方法，在半导体层上利用干法湿法混合氧化形成二氧化硅层，并经刻蚀除去部分二氧化硅以形成凹槽，然后溅射形成钯金属敏感薄膜层，用来测量氢气浓度。本发明能够广泛用于氢气浓度的检测领域。

主权项

一种肖特基二极管氢气传感器芯体，其特征在于，它包括：测温电阻（1）、金属敏感薄膜层（2）、加热电阻（3）、半导体层（4）、第一二氧化硅层（5‑1）和第二二氧化硅层（5‑2）；所述第一二氧化硅层（5‑1）和第二二氧化硅层（5‑2）分别固定在半导体层（4）的两侧，所述半导体层（4）上固定有第二二氧化硅层（5‑2）的一侧中心开有空腔（6）；第一二氧化硅层（5‑1）上开有凹槽，所述凹槽呈凹字形，所述金属敏感薄膜层（2）的形状与凹槽的形状完全相同，且该金属敏感薄膜层（2）嵌固在凹槽内；测温电阻（1）和加热电阻（3）均固定在第一二氧化硅层（5‑1）的表面，且位于金属敏感薄膜层2的两侧；其中测温电阻（1）位于金属敏感薄膜层（2）的凹口侧，且该测温电阻（1）呈几字形，该几字形测温电阻（1）的凸起部分嵌入金属敏感薄膜层（2）的凹口内。