[发明专利]用于激光退火机的监控方法有效
| 申请号： | 201410042474.2 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103745947A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于激光退火机的监控方法，包括以下步骤:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量前值；在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描；对所述监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量后值；采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火；在所述监控片上注入过硼；在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描，所述第二功率值大于所述第一功率值；对所述监控片进行方块电阻阻值的测量，获得方块电阻阻值的测量值。本发明用于激光退火机的监控方法在完成激光退火机上所需的两种日常监控流程的前提下，有效的节约了监控片，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 激光 退火 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种用于激光退火机的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量前值；步骤二：在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描；步骤三：对所述监控片进行颗粒水平的测量，获得颗粒测量后值；步骤四：采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火；步骤五：在所述监控片上注入过硼；步骤六：在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描，所述第二功率值大于所述第一功率值；步骤七：对所述监控片进行方块电阻阻值的测量，获得方块电阻阻值的测量值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
