[发明专利]含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用有效
| 申请号： | 201410040758.8 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104804021B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 高希珂;韩文杰;王中丽;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海有机化学研究所 |
| 主分类号： | C07D517/22 | 分类号： | C07D517/22;C09B57/08;H01L51/30;H01L51/10 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 马莉华,崔佳佳 |
| 地址： | 200032 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用。该萘四羧酸二酰亚胺衍生物的结构如说明书和权利要求书所示，由2,3,6,7‑四卤代萘四羧酸二酰亚胺与1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硒醇盐或1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硒醇盐和1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硫醇盐在有机溶剂中反应制得。采用本发明的萘四羧酸二酰亚胺衍生物作为半导体层的有机薄膜场效应晶体管，无需对半导体薄膜进行热处理，电子迁移率可达1.0cm2V‑1s‑1，开关比大于106，其单晶场效应晶体管器件电子迁移率可达2.0cm2V‑1s‑1，开关比大于105。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 羧酸 亚胺 化合物 制法 应用 | ||
【主权项】：
一种萘四羧酸二酰亚胺衍生物，其结构如式I所示：式中，A为Se或S；R为C1‑C30的直链或支链烷基、或氟代的C2‑C12的直链或支链烷基。
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