[发明专利]一种低成本刚玉坩埚造渣除硼的方法有效
申请号: | 201410008149.4 | 申请日: | 2014-01-08 |
公开(公告)号: | CN103833036A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 杨凤炳;谢兴源;李伟生;龚炳生 | 申请(专利权)人: | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037;C04B35/10;C04B35/622;G01K7/02 |
代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人: | 王明霞 |
地址: | 364211 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种低成本刚玉坩埚造渣除硼的方法。其步骤为:1)通过浇注、烘干、高温烧结在中频炉内制作刚玉坩埚;2)在矿热炉出硅液过程中,采用上述制作好的中频炉刚玉坩埚接硅液,并加热,同时测定硅液侧部温度,保持硅液温度为1450~1500℃;3)待出硅液完成后,将预热后带有通气孔道的石墨棒插入到硅液中,开始通氧气,并加入造渣剂造渣精炼;4)抬包精炼静置后,将硅渣一起倒入结晶器实现渣硅分离,得到提纯后的低磷硼多晶硅原料。本发明具备充分利用和节约能源、设备简单、成本低、除硼效果好,环境无污染等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 低成本 刚玉 坩埚 造渣 方法 | ||
【主权项】:
一种低成本刚玉坩埚造渣除硼的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:1)制作刚玉坩埚;2)在矿热炉出硅液过程中,采用上述制作好的刚玉坩埚接硅液,并加热,同时测定硅液温度,保持硅液温度为1450~1500℃;3)待出硅液完成后,向硅液中通氧气,并加入造渣剂造渣精炼,化渣后静置;4)静置后,将硅渣进行渣硅分离,得到提纯后的低硼多晶硅原料。
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