[发明专利]一种适用于SPARC空间处理器的存储器桥接方法有效
申请号: | 201410003288.8 | 申请日: | 2014-01-03 |
公开(公告)号: | CN103761205A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 刘波;宫经刚;田宇斌 | 申请(专利权)人: | 北京控制工程研究所 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种适用于SPARC空间处理器的动态存储器桥接方法,设计动态存储器桥接器,将实际动态存储器映射为SPARC空间处理器即不自带动态存储控制器形式上的静态存储器,不限制SPARC空间处理器的访问模式。本发明适用于不具备片上动态存储控制器的SPARC空间处理器,支持程序与数据访问操作的动态存储器桥接,实现了SPARC空间处理器与动态存储器的无缝桥接,使硬件设计对软件访问透明,同时还减少了动态存储器时序控制和处理器时序控制的耦合程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 sparc 空间 处理器 存储器 方法 | ||
【主权项】:
一种适用于SPARC空间处理器的动态存储器桥接方法,其特征在于:设计动态存储器桥接器,将实际动态存储器映射为SPARC空间处理器即不自带动态存储控制器形式上的静态存储器,不限制SPARC空间处理器的访问模式,具体实现如下步骤:(1)为计算机系统选配与桥接器匹配的动态存储器(DRAM)模块,包括:a.依据CPU的处理器数据总线字度(W,目前SPARC V7/V8空间处理器一般为32位字宽),采用动态存储器颗粒合成与处理器数据总线等字宽的动态存储器模块;b.依据SPARC空间处理器即CPU工作频率fC,选用DRAM颗粒,要求DRAM颗粒工作频率fD>(8~16)*fC,或单字模式下动态存储器数据传输率满足空间处理器访存峰值要求,否则在空间处理器访问DRAM时对应插入额外等待周期,保证DRAM数据访问速率满足CPU访问吞吐率要求;(2)在上电复位时,桥接器硬件配置全部动态存储器工作模式参数,使CPU在上电复位时即可对DRAM进行访问,整个DRAM访问对软件透明,包括:a.桥接器硬件配置DRAM的模式寄存器为单字操作,固定对DRAM的访问只能为与数据总线等宽的单字读或单字写模式;b.依据DRAM访问速度参数,桥接器硬件配置DRAM读命令输入到数据输出的延时;c.依据DRAM访问速度参数和空间处理器工作频率,桥接器硬件固定配置动态存储器为自动刷新模式,不采用自我刷新模式;在上电复位对DRAM配置完成后,桥接器执行步骤(3);(3)桥接器的DRAM控制器维持空闲模式,在此过程中:a.若CPU对DRAM进行读操作,执行步骤(5);b.若CPU对DRAM进行写操作,执行步骤(6);c.若DRAM刷新周期到,执行步骤(4);其它情况下,桥接器的DRAM控制器继续保持为空闲模式,继续执行步骤(3);(4)桥接器的DRAM控制器对DRAM进行刷新操作;在此过程中:a.若CPU对DRAM进行读操作,提前结束刷新操作,执行步骤(5);b.若CPU对DRAM进行写操作,提前结束刷新操作,执行步骤(6);若刷新完成,桥接器的DRAM控制器返回空闲模式,执行步骤(3);(5)依据CPU的指令特性,分如下情况进行处理:a.若CPU访问为“字节读”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“字节读”操作解析为1次对DRAM的单字读访问;随后桥接器黏合逻辑将读出字的对应字节以符合CPU的时序要求放到CPU数据总线上;然后桥接器返回步骤(3);b.若CPU访问为“单字读”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“单字”读操作解析为1次读DRAM的单字读访问,从DRAM对应地址读回1个字的数据;随后桥接器黏合逻辑将读出字以符合CPU的时序要求放到CPU数据总线上;然后桥接器返回步骤(3);c.若CPU访问为“双字连读”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“双字连读”分解为2次独立的DRAM单字读访问,从DRAM对应地址读回2个字的数据;存储控制器对DRAM的访问每次只读出1个字,连续两次分别对应CPU需读出的2个字;同时,桥接器黏合逻辑将读出字以符合CPU的时序要求放到CPU数据总线上;然后桥接器返回步骤(3);d.若CPU访问为“多字读”操作,桥接器解析逻辑将连续的读操作分解为对DRAM的N次单字读访问,对动态存储器的一次访问读出1个字;同时,桥接器黏合逻辑将读出字以符合CPU的时序要求放到CPU数据总线上;然后桥接器返回步骤(3);(6)依据CPU的指令特性,分如下情况进行处理:a.若CPU访问为“字节写”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“字节写”操作分解为连续两次独立的DRAM访问,第一次为DRAM读访问,第二次为DRAM写访问;存储控制器对DRAM进行读访问后,将CPU应字节进行替换,然后对DRAM进行写访问,写入对应数据;然后桥接器返回步骤(3);b.若CPU访问为“单字写”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“单字写”操作解析为1次写DRAM访问,向DRAM对应地址写1个字的数据;然后桥接器返回步骤(3);c.若CPU访问为“双字连写”操作,桥接器解析逻辑将CPU的“双字连写”操作解析为两次独立的DRAM单字写访问,存储控制器对DRAM进行2次写访问,存储控制器对DRAM的访问每次只写1个字,连续两次分别对应CPU需写入DRAM的2个字;然后桥接器返回步骤(3);c.若CPU访问为“多字写”操作,桥接器解析逻辑将连续的写操作分解为对DRAM的N次单字写访问,对动态存储器的一次访问写入1个字;然后桥接器返回步骤(3);通过上述步骤,桥接器将实际DRAM映射为CPU形式上的SRAM。
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